Tụ điện snubber hướng trục GTO

Mô tả ngắn:

Những tụ điện này phù hợp để chịu được các xung dòng điện lớn thường gặp trong bảo vệ GTO.Các kết nối dọc trục cho phép giảm độ tự cảm nối tiếp và mang lại sự tiếp xúc điện đáng tin cậy cho việc lắp đặt cơ học mạnh mẽ và khả năng tản nhiệt tốt sinh ra trong quá trình sử dụng.

Gửi email cho chúng tôi Tải xuống dưới dạng PDF

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Thông số kỹ thuật

Nhiệt độ hoạt động	-40oC đến +85oC
phạm vi điện dung	0,1μF～5,6μF
Điện áp định mức	630V.DC～2000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
Chịu được điện áp	1,5Un DC/10S
hệ số tản nhiệt	tgδ<0,0005 C<1μF f=10KHz tgδ 0,001 C ≥1μF f=10KHz
Vật liệu chống điện	C<0,33μF RS>15000 MΩ (ở 20oC 100V.DC 60S) C＞0,33μF RS*C ≥5000S (ở 20oC 100V.DC 60S)
Chịu được dòng điện tấn công	xem bảng dữ liệu
Tuổi thọ	100000h(Un; Θhotspot<85°C)
Tiêu chuẩn tham chiếu	IEC 61071 ;IEC 61881;GB/T17702

Ứng dụng

1. Bộ lọc IGBT, bộ lọc GTO

2. Được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử công suất khi điện áp cực đại, bảo vệ hấp thụ dòng điện cực đại.

Vẽ phác thảo

Tụ điện trục SMJ-TE
Vôn		Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
Điện dung (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (mm)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25°C @100KHz (A)
0,22	32	9,5	17,5	0,8	16	23	300	66	5.3
0,33	32	12	20	1	13	22	200	66	6,5
0,47	32	14,5	22,5	1	11	21	220	103,4	8.3
0,68	32	18	26	1	10	20	180	122,4	9,5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7,6
1,5	37	13,5	21,5	1	7	27	150	225	9,5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2,5	37	18	26	1.2	5,5	25	120	300	10,5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4,5	30	110	363	11.2
4	57	27	36,5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40,5	1.2	3,8	32	200	940	13,8
5,6	57	31	33,5	1.2	3,5	32	185	1036	13,5
6,8	37	29	41,5	1.2	2,5	28	100	680	13,8
6,8	57	34	46,5	1.2	2,8	30	180	1224	14.2
Vôn		Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
Điện dung (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (mm)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25°C @100KHz (A)
0,15	32	10	17,5	0,8	20	20	1100	165	5,5
0,22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0,33	32	15,5	23	1	13	21	1000	330	8,7
0,47	32	18,5	26	1.2	10	23	1000	470	10,5
0,47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9,5
0,68	32	20	32,5	1.2	7	25	900	612	10.8
0,68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21,5	29,5	1.2	5,6	27	900	900	11
1,5	44	26	35,5	1.2	5	29	900	1350	12
1,5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40,5	1.2	4,8	30	800	1600	13.2
2	57	24	33,5	1.2	4,8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42,5	1.2	4.2	32	600	1320	13,8
2.2	57	25	34,5	1.2	4.2	32	500	1100	13,5
2,5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40,5	1.2	3,5	34	480	1440	15,6
3.3	57	29,5	42	1.2	3.2	35	450	1485	16,5
3,5	57	30,5	43	1.2	3.2	35	450	1575	17.2
4.7	57	35	50,5	1.2	3	36	420	1974	17,8
5,6	57	38,5	65	1.2	2,8	38	400	2240	18.2
Vôn		Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
Điện dung (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (mm)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25°C @100KHz (A)
0,1	32	8,5	16	0,8	20	20	1300	130	6
0,15	32	10	17,5	1	18	20	1200	180	7,5
0,22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0,33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0,47	32	17,5	30	1.2	10	23	1200	564	9,5
0,47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9,8
0,68	32	21,5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0,68	44	18,5	26,5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12,4
1,5	44	26,5	39	1.2	5	30	950	1425	13,5
1,5	57	22,5	30,5	1.2	5	29	900	1350	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600	14.2
2	57	26,5	34,5	1.2	4,8	30	750	1500	13,8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760	14,5
2.2	57	27,5	35,5	1.2	4.2	35	700	1540	14,5
3	57	29	44,5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30,5	46	1.2	3.2	38	450	1485	17,8
4.7	57	38	53,5	1.2	3	38	420	1974	18.2
Vôn		Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
Điện dung (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (mm)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25°C @100KHz (A)
0,1	32	9,5	17,5	0,8	18	25	1300	130	7,5
0,15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8,5
0,22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9,3
0,33	32	18,5	26,5	1	12	22	1200	396	9,9
0,33	44	13,5	21,5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0,47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0,68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33,5	1.2	5,6	26	900	900	12,4
1	57	19,5	27,5	1.2	6	33	850	850	10.8
1,5	44	28	40,5	1.2	4,8	25	800	1200	13,5
1,5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13,5
2	44	31,5	47	1.2	4,5	24	750	1500	14.2
2	57	27,5	37	1.2	4,8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33,5	49	1.2	4,5	34	700	1540	15,6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320	14,5
3	57	31	46,5	1.2	4	30	560	1680	17.2
3.3	57	33	48,5	1.2	3.2	29	500	1650	17,6
4	57	37	52,5	1.2	3	28	450	1800	18.2
Vôn		Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
Điện dung (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (mm)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25°C @100KHz (A)
0,068	32	9	17	0,8	25	23	1500	102	6,9
0,1	32	11,5	19,5	1	18	22	1500	150	8.2
0,1	37	10,5	18,5	1	18	26	1450	145	8
0,22	32	17,5	25,5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0,22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0,33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412,5	9,5
0,33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0,47	44	19,5	32	1.2	10	29	1100	517	12,4
0,68	44	24	36,5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0,68	57	18,5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23,5	36	1.2	6	31	950	950	14,5
1,5	57	29,5	42	1.2	5	31	850	1275	14,5
2	57	33	48,5	1.2	4.2	31	750	1500	16,5
2.2	57	35	50,5	1.2	4	30	700	1540	17,8
Vôn		Un 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
Điện dung (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (mm)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25°C @100KHz (A)
0,047	44	13,5	21,5	1	22	20	2000	94	8,5
0,068	44	17	25	1	20	20	1800	122,4	10,5
0,1	44	20,5	28,5	1.2	18	20	1500	150	12,4
0,15	44	26	34	1.2	16	22	1350	202,5	13,8
0,22	44	29	41,5	1.2	14,5	22	1200	264	14,5