Sản phẩm mới Hot Tụ điện màng thiết kế nhỏ gọn - Chất điện môi tổn hao thấp màng polypropylene Tụ điện Snubber cho ứng dụng IGBT – CRE

Sản phẩm mới Hot Tụ điện màng thiết kế nhỏ gọn - Chất điện môi tổn thất thấp màng polypropylene Tụ điện Snubber cho ứng dụng IGBT – CRE Ảnh nổi bật

Mô tả ngắn:

Gửi email cho chúng tôi Tải xuống dưới dạng PDF

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Video liên quan

Phản hồi (2)

Chúng tôi nghĩ những gì khách hàng nghĩ, sự cấp thiết phải hành động vì lợi ích của khách hàng là nguyên tắc, cho phép chất lượng tốt hơn, chi phí xử lý thấp hơn, giá cả hợp lý hơn, giành được sự ủng hộ và khẳng định của khách hàng mới và cũ đối vớiTụ điện phim cho máy dò tia X , Tụ điện liên kết Dc điện áp cao , Tụ điện biến tần, Chào mừng bạn đã ghé thăm và mọi thắc mắc của bạn, chân thành hy vọng chúng tôi có thể có cơ hội hợp tác với bạn và chúng tôi có thể xây dựng mối quan hệ kinh doanh lâu dài với bạn.

Sản phẩm mới Hot Tụ điện màng thiết kế nhỏ gọn - Chất điện môi tổn thất thấp màng polypropylene Tụ điện Snubber ứng dụng IGBT – CRE Chi tiết:

Dòng SMJ-P

Dải điện áp định mức: 1000 VDC đến 2000 VDC
Phạm vi điện dung: 0,1 uf đến 3,0 uf
Khoảng cách lắp đặt: 22,5 mm đến 48 mm
Kết cấu: Kết nối nối tiếp bên trong chất điện môi Polypropylene kim loại hóa
Ứng dụng: Bảo vệ IGBT, Mạch bể cộng hưởng

Các phần tử tụ điện snubber, loại khô, tự phục hồi được sản xuất bằng cách sử dụng màng PP kim loại cắt sóng được định hình đặc biệt, đảm bảo độ tự cảm thấp, khả năng chống đứt cao và độ tin cậy cao.Việc ngắt kết nối quá áp suất được coi là không cần thiết.Đầu tụ điện được bịt kín bằng nhựa epoxy thân thiện với môi trường tự dập lửa.Thiết kế đặc biệt đảm bảo độ tự cảm rất thấp.

IMG_0397.HEIC

Bảng thông số kỹ thuật

Vôn	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Kích thước(mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40°C @100KHz (A)
0,47	42,5	24,5	27,5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24,5	27,5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24,5	27,5	8	24	450	450	12
1,5	42,5	33,5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2,5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5,5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3,5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3,5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57,5	35	50	5	28	280	1316	25
5,6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3,5	33	230	1380	28
6,8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57,5	42,5	56	2,8	30	200	1600	33

Vôn	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Kích thước(mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24,5	27,5	8	25	800	544	12
1	42,5	33,5	35,5	6	24	800	800	15
1,5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2,5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57,5	35	50	3,5	28	550	1815	25
3,5	57,5	38	54	3,5	28	500	1750	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974	30
5,6	57,5	42,5	56	2,8	24	400	2240	32

Vôn	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33,5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33,5	35,5	6	22	800	800	14
1,5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2,5	57,5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815	28
3,5	57,5	38	54	3,5	25	500	1750	28
4	57,5	42,5	56	3,5	25	450	1800	30
4.7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974	32

Vôn	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,33	42,5	24,5	27,5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24,5	27,5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33,5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1,5	42,5	33	45	6	22	1200	1800	18
1,5	57,5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2,5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57,5	38	54	3,8	26	600	1980	28
3,5	57,5	42,5	56	3,5	25	500	1750	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800	32

Vôn	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,22	42,5	24,5	27,5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33,5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33,5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1,5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540	32

Vôn	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28

Hình ảnh chi tiết sản phẩm:

Hướng dẫn sản phẩm liên quan:

Xếp hạng tín dụng xuất sắc và tuyệt vời có trách nhiệm là những nguyên tắc của chúng tôi, điều này sẽ giúp chúng tôi đạt được vị trí hàng đầu.Tuân thủ nguyên lý "chất lượng ban đầu, người mua là tối cao" đối với Sản phẩm mới Hot Tụ điện màng thiết kế nhỏ gọn - Chất điện môi tổn hao thấp của màng polypropylen Tụ điện Snubber cho ứng dụng IGBT – CRE, Sản phẩm sẽ cung cấp cho khắp nơi trên thế giới, như: Istanbul, Rwanda, Hy Lạp, Dựa vào chất lượng vượt trội và hậu mãi tuyệt vời, sản phẩm của chúng tôi bán chạy ở Mỹ, Châu Âu, Trung Đông và Nam Phi.Chúng tôi cũng là nhà máy OEM được chỉ định cho một số thương hiệu sản phẩm nổi tiếng trên thế giới.Chào mừng bạn đến liên hệ với chúng tôi để tiếp tục đàm phán và hợp tác.

Tụ điện trong ứng dụng ô tô

Tụ phim thiết kế nhỏ gọn

Tụ cộng hưởng tùy chỉnh

Tụ lọc Dc

Nhà sản xuất tụ điện phim

Tụ cộng hưởng sóng hài

Tụ điện FIM tổn thất điện dung thấp

Tụ điện màng Polypropylen

Tụ điện khô tự phục hồi

Tụ điện snubber

Đây là một nhà cung cấp Trung Quốc rất chuyên nghiệp và trung thực, từ nay trở đi chúng tôi đã yêu thích nền sản xuất của Trung Quốc.

Bởi Bertha từ Las Vegas - 2017.01.28 19:59

Chất lượng tốt và giao hàng nhanh, nó rất đẹp.Một số sản phẩm có một chút vấn đề nhưng nhà cung cấp đã thay thế kịp thời, nhìn chung chúng tôi hài lòng.

Bởi John đến từ Venezuela - 2018.07.12 12:19