• bbb

Nhà sản xuất hàng đầu về tụ điện liên kết DC thiết kế theo yêu cầu - Tụ điện giảm xung GTO trục – CRE

Mô tả ngắn gọn:


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Video liên quan

Phản hồi (2)

Chúng tôi cũng đang tập trung vào việc nâng cao phương pháp quản lý vật tư và kiểm soát chất lượng để có thể duy trì lợi thế cạnh tranh vượt trội trong môi trường kinh doanh cạnh tranh khốc liệt.Tụ điện chuyển đổi , Tụ điện màng chế tạo theo yêu cầu , Tụ điện DC-Link dùng trong ứng dụng ô tôSản phẩm của chúng tôi luôn được khách hàng cũ và mới công nhận và tin tưởng. Chúng tôi hoan nghênh khách hàng cũ và mới liên hệ để thiết lập quan hệ kinh doanh trong tương lai và cùng phát triển. Hãy cùng nhau tiến bước trong bóng tối!
Nhà sản xuất hàng đầu về tụ điện liên kết DC thiết kế theo yêu cầu - Tụ điện giảm xung GTO trục – Chi tiết CRE:

Dữ liệu kỹ thuật

Phạm vi nhiệt độ hoạt động Nhiệt độ hoạt động tối đa: +85℃ Nhiệt độ loại trên: +85℃ Nhiệt độ loại dưới: -40℃
phạm vi điện dung 0,1μF~5,6μF
Điện áp định mức

630V DC~2000V DC

Cap.tol

±5%(J) ;±10%(K)

Điện áp chịu đựng

1.5Un DC/10S

Hệ số tiêu tán

tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz

Điện trở cách điện

C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (ở 20℃ 100V.DC 60S)

C>0,33μF RS*C≥5000S (ở 20℃ 100V.DC 60S)

Chịu được dòng điện đánh
Tuổi thọ trung bình

100000h(Un; Θhotspot<85°C)

Tiêu chuẩn tham chiếu

IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

Ứng dụng

1. Mạch giảm xung IGBT.

2. Được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử công suất khi cần bảo vệ chống hấp thụ điện áp đỉnh và dòng điện đỉnh.

Bản vẽ phác thảo

 

1

 

 

 

 

Tụ điện trục SMJ-TE
Điện áp Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
Điện dung (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,22 32 9,5 17,5 0,8 16 23 300 66 5.3
0.33 32 12 20 1 13 22 200 66 6,5
0,47 32 14,5 22,5 1 11 21 220 103,4 8.3
0,68 32 18 26 1 10 20 180 122,4 9,5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7.6
1,5 37 13,5 21,5 1 7 27 150 225 9,5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2,5 37 18 26 1.2 5.5 25 120 300 10,5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4,5 30 110 363 11.2
4 57 27 36,5 1.2 4.2 32 220 880 12,8
4.7 57 28 40,5 1.2 3.8 32 200 940 13,8
5.6 57 31 33,5 1.2 3.5 32 185 1036 13,5
6.8 37 29 41,5 1.2 2,5 28 100 680 13,8
6.8 57 34 46,5 1.2 2.8 30 180 1224 14.2

 

Điện áp Điện áp đầu vào: 1000V DC; Điện áp đầu ra: 500V AC; Điện áp đầu ra: 1500V
Điện dung (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,15 32 10 17,5 0,8 20 20 1100 165 5.5
0,22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0.33 32 15,5 23 1 13 21 1000 330 8.7
0,47 32 18,5 26 1.2 10 23 1000 470 10,5
0,47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9,5
0,68 32 20 32,5 1.2 7 25 900 612 10.8
0,68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21,5 29,5 1.2 5.6 27 900 900 11
1,5 44 26 35,5 1.2 5 29 900 1350 12
1,5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40,5 1.2 4.8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33,5 1.2 4.8 32 600 1200 12,8
2.2 44 30 42,5 1.2 4.2 32 600 1320 13,8
2.2 57 25 34,5 1.2 4.2 32 500 1100 13,5
2,5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40,5 1.2 3.5 34 480 1440 15.6
3.3 57 29,5 42 1.2 3.2 35 450 1485 16,5
3.5 57 30,5 43 1.2 3.2 35 450 1575 17.2
4.7 57 35 50,5 1.2 3 36 420 1974 17,8
5.6 57 38,5 65 1.2 2.8 38 400 2240 18.2

 

Điện áp Điện áp đầu vào: 1200V DC; Điện áp đầu ra: 550V AC; Điện áp đầu ra: 1800V
Điện dung (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,1 32 8,5 16 0,8 20 20 1300 130 6
0,15 32 10 17,5 1 18 20 1200 180 7.5
0,22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0.33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0,47 32 17,5 30 1.2 10 23 1200 564 9,5
0,47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9.8
0,68 32 21,5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0,68 44 18,5 26,5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12.4
1,5 44 26,5 39 1.2 5 30 950 1425 13,5
1,5 57 22,5 30,5 1.2 5 29 900 1350 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26,5 34,5 1.2 4.8 30 750 1500 13,8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760 14,5
2.2 57 27,5 35,5 1.2 4.2 35 700 1540 14,5
3 57 29 44,5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30,5 46 1.2 3.2 38 450 1485 17,8
4.7 57 38 53,5 1.2 3 38 420 1974 18.2

 

Điện áp Điện áp đầu vào: 1700V DC; Điện áp đầu ra: 600V AC; Điện áp đầu ra: 2550V
Điện dung (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,1 32 9,5 17,5 0,8 18 25 1300 130 7.5
0,15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8,5
0,22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9.3
0.33 32 18,5 26,5 1 12 22 1200 396 9.9
0.33 44 13,5 21,5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0,47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0,68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33,5 1.2 5.6 26 900 900 12.4
1 57 19,5 27,5 1.2 6 33 850 850 10.8
1,5 44 28 40,5 1.2 4.8 25 800 1200 13,5
1,5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13,5
2 44 31,5 47 1.2 4,5 24 750 1500 14.2
2 57 27,5 37 1.2 4.8 32 650 1300 12,8
2.2 44 33,5 49 1.2 4,5 34 700 1540 15.6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14,5
3 57 31 46,5 1.2 4 30 560 1680 17.2
3.3 57 33 48,5 1.2 3.2 29 500 1650 17.6
4 57 37 52,5 1.2 3 28 450 1800 18.2

 

Điện áp Điện áp đầu vào: 2000V DC; Điện áp đầu ra: 700V AC; Điện áp đầu ra: 3000V
Điện dung (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,068 32 9 17 0,8 25 23 1500 102 6.9
0,1 32 11,5 19,5 1 18 22 1500 150 8.2
0,1 37 10,5 18,5 1 18 26 1450 145 8
0,22 32 17,5 25,5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0,22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0.33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412,5 9,5
0.33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0,47 44 19,5 32 1.2 10 29 1100 517 12.4
0,68 44 24 36,5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0,68 57 18,5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23,5 36 1.2 6 31 950 950 14,5
1,5 57 29,5 42 1.2 5 31 850 1275 14,5
2 57 33 48,5 1.2 4.2 31 750 1500 16,5
2.2 57 35 50,5 1.2 4 30 700 1540 17,8

 

Điện áp Điện áp đầu vào: 3000V DC; Điện áp đầu ra: 750V AC; Điện áp đầu ra: 4500V
Điện dung (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
0,047 44 13,5 21,5 1 22 20 2000 94 8,5
0,068 44 17 25 1 20 20 1800 122,4 10,5
0,1 44 20,5 28,5 1.2 18 20 1500 150 12.4
0,15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202,5 13,8
0,22 44 29 41,5 1.2 14,5 22 1200 264 14,5

Hình ảnh chi tiết sản phẩm:

Nhà sản xuất hàng đầu về tụ điện liên kết DC thiết kế theo yêu cầu - Tụ điện giảm xung GTO trục – Hình ảnh chi tiết sản phẩm CRE

Nhà sản xuất hàng đầu về tụ điện liên kết DC thiết kế theo yêu cầu - Tụ điện giảm xung GTO trục – Hình ảnh chi tiết sản phẩm CRE

Nhà sản xuất hàng đầu về tụ điện liên kết DC thiết kế theo yêu cầu - Tụ điện giảm xung GTO trục – Hình ảnh chi tiết sản phẩm CRE


Hướng dẫn sản phẩm liên quan:

Chúng tôi sẽ nỗ lực hết mình để trở nên xuất sắc và hoàn hảo, đồng thời đẩy nhanh tiến độ để đứng trong hàng ngũ các doanh nghiệp hàng đầu quốc tế về công nghệ cao, chuyên sản xuất tụ điện liên kết DC thiết kế theo yêu cầu - tụ điện giảm xung GTO trục – CRE. Sản phẩm của chúng tôi sẽ được cung cấp trên toàn thế giới, ví dụ như: Romania, Liverpool, Bhutan. Thiết bị tiên tiến, quản lý chất lượng tuyệt vời và khả năng nghiên cứu và phát triển giúp giảm giá thành sản phẩm. Giá chúng tôi đưa ra có thể không phải là thấp nhất, nhưng chúng tôi đảm bảo tính cạnh tranh tuyệt đối! Chào mừng bạn liên hệ ngay với chúng tôi để thiết lập mối quan hệ kinh doanh trong tương lai và cùng nhau thành công!
  • Các nhà quản lý có tầm nhìn xa, họ có tư tưởng về "lợi ích chung, cải tiến liên tục và đổi mới", chúng tôi có những cuộc trò chuyện và hợp tác thú vị. 5 sao Bài viết của Hilary đến từ Leicester - 19/09/2018, 18:37
    Các nhà quản lý có tầm nhìn xa, họ có tư tưởng về "lợi ích chung, cải tiến liên tục và đổi mới", chúng tôi có những cuộc trò chuyện và hợp tác thú vị. 5 sao Bài viết của Mona đến từ Bhutan - 01/11/2017 17:04

    Hãy gửi tin nhắn của bạn cho chúng tôi:

    Hãy viết tin nhắn của bạn vào đây và gửi cho chúng tôi.

    Hãy gửi tin nhắn của bạn cho chúng tôi: