Tụ điện giảm xung có tổn hao điện môi thấp dạng màng polypropylene dùng cho ứng dụng IGBT.

Tụ điện giảm xung điện có tổn hao điện môi thấp làm từ màng polypropylene cho ứng dụng IGBT (Hình ảnh nổi bật)

Mô tả ngắn gọn:

Các tụ điện giảm xung IGBT thuộc dòng sản phẩm CRE tuân thủ tiêu chuẩn ROHS và REACH.

1. Đặc tính chống cháy được đảm bảo bằng cách sử dụng vỏ nhựa và keo epoxy bịt kín các đầu, đáp ứng tiêu chuẩn UL94-VO.

2. Kiểu dáng đầu cuối và kích thước vỏ có thể được tùy chỉnh.

Gửi email cho chúng tôi Tải xuống dưới dạng PDF

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Dòng SMJ-P

Dải điện áp định mức: 1000 VDC đến 2000 VDC
Dải điện dung: 0,1 µm đến 3,0 µm
Khoảng cách giữa các lỗ lắp đặt: 22,5 mm đến 48 mm
Cấu tạo: Polypropylene mạ kim loại, kết nối nối tiếp bên trong.
Ứng dụng: Bảo vệ IGBT, mạch cộng hưởng.

Các phần tử tụ điện tự phục hồi, loại khô, có chức năng giảm xung được sản xuất bằng màng PP mạ kim loại cắt sóng đặc biệt, đảm bảo độ tự cảm thấp, khả năng chống đứt cao và độ tin cậy cao. Việc ngắt kết nối do quá áp không được coi là cần thiết. Phần đỉnh của tụ điện được bịt kín bằng epoxy tự dập lửa thân thiện với môi trường. Thiết kế đặc biệt đảm bảo độ tự cảm rất thấp.

Bảng thông số kỹ thuật

Điện áp	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Kích thước (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0,47	42,5	24,5	27,5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24,5	27,5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24,5	27,5	8	24	450	450	12
1,5	42,5	33,5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2,5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57,5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57,5	42,5	56	2.8	30	200	1600	33

Điện áp	Điện áp đầu vào: 1000V DC, điện áp đầu ra: Urms 500V AC; điện áp đầu ra: 1500V
	Kích thước (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24,5	27,5	8	25	800	544	12
1	42,5	33,5	35,5	6	24	800	800	15
1,5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2,5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57,5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57,5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57,5	42,5	56	2.8	24	400	2240	32

Điện áp	Điện áp đầu vào: 1200V DC, công suất hiệu dụng: 550V AC; điện áp đầu ra: 1800V.
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33,5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33,5	35,5	6	22	800	800	14
1,5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2,5	57,5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57,5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57,5	42,5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974	32

Điện áp	Điện áp đầu vào: 1700V DC, công suất hiệu dụng: 575V AC; điện áp đầu ra: 2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42,5	24,5	27,5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24,5	27,5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33,5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1,5	42,5	33	45	6	22	1200	1800	18
1,5	57,5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2,5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57,5	38	54	3.8	26	600	Năm 1980	28
3.5	57,5	42,5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800	32

Điện áp	Điện áp đầu vào: 2000V DC, Urms 700V AC; Us 3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,22	42,5	24,5	27,5	15	25	1500	330	10
0.33	42,5	33,5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33,5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1,5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540	32

Điện áp	Điện áp đầu vào: 3000V DC, điện áp đầu ra: Urms 750V AC; điện áp đầu ra: 4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57,5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28