Tụ điện màng kim loại hóa dùng cho nguồn điện (DMJ-MC)
Dữ liệu kỹ thuật
| Phạm vi nhiệt độ hoạt động | Nhiệt độ hoạt động tối đa: +85℃ Nhiệt độ hạng mục trên: +70℃ Nhiệt độ loại thấp hơn: -40℃ | |
| phạm vi điện dung | 50μF～4000μF | |
| Điện áp định mức | 450V DC～4000V DC | |
| Khả năng chịu đựng điện dung | ±5%(J);±10%(K) | |
| Điện áp chịu đựng | Vt-t | 1.5Un DC/60S |
| Vt-c | 1000+2×Un/√2 (V.AC) 60S (tối thiểu 3000 V.AC) | |
| Quá áp | 1.1Un (30% thời gian hoạt động) | |
| 1,15Un (30 phút/ngày) | ||
| 1,2 đơn vị (5 phút/ngày) | ||
| 1,3Un (1 phút/ngày) | ||
| 1.5Un (100ms mỗi lần, 1000 lần trong suốt vòng đời) | ||
| Hệ số tiêu tán | tgδ≤0,003 f=100Hz | |
| tgδ0≤0.0002 | ||
| Điện trở cách điện | Rs*C≥10000S (ở 20℃, 100V DC, 60s) | |
| Chống cháy | UL94V-0 | |
| Độ cao tối đa | 3500m | |
| Cần thiết kế theo yêu cầu riêng khi độ cao lắp đặt trên 3500m. | ||
| Tuổi thọ trung bình | 100000h(Un; Θhotspot<70 °C) | |
| Tiêu chuẩn tham chiếu | IEC61071; GB/T17702; | |
Điểm mạnh của chúng tôi
1. Dịch vụ thiết kế theo yêu cầu riêng biệt cho từng ứng dụng cụ thể;
2. Đội ngũ kỹ thuật giàu kinh nghiệm của CRE hỗ trợ khách hàng bằng những giải pháp chuyên nghiệp nhất;
3. Dịch vụ trực tuyến 24 giờ;
4. Có sẵn bảng dữ liệu, sơ đồ và các dự án thành công.
Tính năng
Phạm vi ứng dụng của tụ điện DC cũng rất đa dạng. Tụ điện lọc được sử dụng để giảm thành phần AC của điện áp DC dao động (ví dụ như trong các bộ nguồn cho ứng dụng công nghiệp).
Các tụ điện màng của chúng tôi có khả năng hấp thụ và giải phóng dòng điện rất cao trong thời gian ngắn, giá trị đỉnh của dòng điện lớn hơn đáng kể so với giá trị RMS.
Tụ điện phóng xung (surge discharge capacitor) cũng có khả năng cung cấp hoặc hấp thụ các xung dòng điện cực ngắn. Chúng thường được sử dụng trong các ứng dụng phóng điện với điện áp không đảo chiều và ở tần số lặp lại thấp, chẳng hạn như trong công nghệ laser.
Ứng dụng
1. Thiết bị thử nghiệm điện áp cao;
2. Bộ điều khiển DC;
3. Công nghệ đo lường và điều khiển;
4. Lưu trữ năng lượng trong các mạch DC trung gian;
5. Bộ chuyển đổi nguồn transistor và thyristor;
