E-mail: info@cre-elec.com
English
  • trời ơi

Thiết kế tái tạo cho tụ điện Pcb - Tụ điện snubber hướng trục GTO – CRE

Thiết kế tái tạo cho tụ điện Pcb - Tụ điện snubber hướng trục GTO – CRE Ảnh nổi bật
  • Thiết kế tái tạo cho tụ điện Pcb - Tụ điện snubber hướng trục GTO – CRE
  • Thiết kế tái tạo cho tụ điện Pcb - Tụ điện snubber hướng trục GTO – CRE
  • Thiết kế tái tạo cho tụ điện Pcb - Tụ điện snubber hướng trục GTO – CRE

Mô tả ngắn:


Tải xuống dưới dạng PDF

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Video liên quan

Phản hồi (2)

Là sân khấu hiện thực hóa ước mơ của nhân viên!Để xây dựng một tập thể hạnh phúc hơn, đoàn kết hơn và chuyên nghiệp hơn!Để đạt được lợi ích chung của khách hàng, nhà cung cấp, xã hội và chính chúng taTụ điện biến tần Pv , Tụ điện làm mát , Tụ điện công nghiệp để bán, Nhiệt liệt chào mừng hợp tác và phát triển cùng chúng tôi!chúng tôi sẽ tiếp tục cung cấp sản phẩm hoặc dịch vụ với chất lượng cao và tỷ lệ cạnh tranh.
Thiết kế tái tạo cho tụ điện Pcb - Tụ điện snubber hướng trục GTO – Chi tiết CRE:

Thông số kỹ thuật

Nhiệt độ hoạt động Nhiệt độ hoạt động tối đa.,Top,max: + 85°C Nhiệt độ bậc trên: +85°C Nhiệt độ bậc dưới: -40°C
phạm vi điện dung 0,1μF～5,6μF
Điện áp định mức

630V.DC～2000V.DC
Cap.tol

±5%(J) ;±10%(K)
Chịu được điện áp

1,5Un DC/10S
hệ số tản nhiệt

tgδ<0,0005 C<1μF f=10KHz

tgδ 0,001 C ≥1μF f=10KHz
Vật liệu chống điện

C<0,33μF RS>15000 MΩ (ở 20oC 100V.DC 60S)

C＞0,33μF RS*C ≥5000S (ở 20oC 100V.DC 60S)
Chịu được dòng điện tấn công
Tuổi thọ

100000h(Un; Θhotspot<85°C)
Tiêu chuẩn tham chiếu

IEC 61071 ;IEC 61881;GB/T17702

Ứng dụng

1. Bộ lọc IGBT.

2. Được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử công suất khi điện áp cực đại, bảo vệ hấp thụ dòng điện cực đại.

Vẽ phác thảo

 

1

 

 

 

 

Tụ điện trục SMJ-TE
Vôn Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
Điện dung (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25°C @100KHz (A)
0,22 32 9,5 17,5 0,8 16 23 300 66 5.3
0,33 32 12 20 1 13 22 200 66 6,5
0,47 32 14,5 22,5 1 11 21 220 103,4 8.3
0,68 32 18 26 1 10 20 180 122,4 9,5
1 37 11 19 1 8 28 150 150 7,6
1,5 37 13,5 21,5 1 7 27 150 225 9,5
2 37 16 24 1.2 6 24 130 260 10.2
2,5 37 18 26 1.2 5,5 25 120 300 10,5
3 37 20 28 1.2 5 30 110 330 10.8
3.3 37 21 29 1.2 4,5 30 110 363 11.2
4 57 27 36,5 1.2 4.2 32 220 880 12.8
4.7 57 28 40,5 1.2 3,8 32 200 940 13,8
5,6 57 31 33,5 1.2 3,5 32 185 1036 13,5
6,8 37 29 41,5 1.2 2,5 28 100 680 13,8
6,8 57 34 46,5 1.2 2,8 30 180 1224 14.2

 

Vôn Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
Điện dung (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25°C @100KHz (A)
0,15 32 10 17,5 0,8 20 20 1100 165 5,5
0,22 32 12 20 1 15 21 1000 220 7.3
0,33 32 15,5 23 1 13 21 1000 330 8,7
0,47 32 18,5 26 1.2 10 23 1000 470 10,5
0,47 44 14 22 1.2 9 24 900 423 9,5
0,68 32 20 32,5 1.2 7 25 900 612 10.8
0,68 44 17 25 1.2 6 26 800 544 10.2
1 44 21,5 29,5 1.2 5,6 27 900 900 11
1,5 44 26 35,5 1.2 5 29 900 1350 12
1,5 57 21 29 1.2 5 30 700 1050 12.2
2 44 28 40,5 1.2 4,8 30 800 1600 13.2
2 57 24 33,5 1.2 4,8 32 600 1200 12.8
2.2 44 30 42,5 1.2 4.2 32 600 1320 13,8
2.2 57 25 34,5 1.2 4.2 32 500 1100 13,5
2,5 57 25 38 1.2 4 33 500 1250 14.2
3 57 28 40,5 1.2 3,5 34 480 1440 15,6
3.3 57 29,5 42 1.2 3.2 35 450 1485 16,5
3,5 57 30,5 43 1.2 3.2 35 450 1575 17.2
4.7 57 35 50,5 1.2 3 36 420 1974 17,8
5,6 57 38,5 65 1.2 2,8 38 400 2240 18.2

 

Vôn Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
Điện dung (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25°C @100KHz (A)
0,1 32 8,5 16 0,8 20 20 1300 130 6
0,15 32 10 17,5 1 18 20 1200 180 7,5
0,22 32 13 21 1 15 22 1200 264 8.3
0,33 32 16 24 1 12 23 1200 396 9
0,47 32 17,5 30 1.2 10 23 1200 564 9,5
0,47 44 15 23 1.2 9 26 1100 517 9,8
0,68 32 21,5 34 1.2 8 25 1100 517 10
0,68 44 18,5 26,5 1.2 6 27 1000 680 11.7
1 44 23 31 1.2 5 28 1000 1000 12,4
1,5 44 26,5 39 1.2 5 30 950 1425 13,5
1,5 57 22,5 30,5 1.2 5 29 900 1350 12.6
2 44 29 45 1.2 5 30 800 1600 14.2
2 57 26,5 34,5 1.2 4,8 30 750 1500 13,8
2.2 44 31 47 1.2 4.2 32 800 1760 14,5
2.2 57 27,5 35,5 1.2 4.2 35 700 1540 14,5
3 57 29 44,5 1.2 3.2 37 500 1500 17.2
3.3 57 30,5 46 1.2 3.2 38 450 1485 17,8
4.7 57 38 53,5 1.2 3 38 420 1974 18.2

 

Vôn Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
Điện dung (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25°C @100KHz (A)
0,1 32 9,5 17,5 0,8 18 25 1300 130 7,5
0,15 32 12 20 1 16 24 1200 180 8,5
0,22 32 15 23 1 15 24 1200 264 9,3
0,33 32 18,5 26,5 1 12 22 1200 396 9,9
0,33 44 13,5 21,5 1.2 12 29 1100 363 10.2
0,47 44 16 24 1.2 9 28 1000 470 11.2
0,68 44 20 28 1.2 8 27 1000 680 11.7
1 44 24 33,5 1.2 5,6 26 900 900 12,4
1 57 19,5 27,5 1.2 6 33 850 850 10.8
1,5 44 28 40,5 1.2 4,8 25 800 1200 13,5
1,5 57 24 32 1.2 5 33 750 1125 13,5
2 44 31,5 47 1.2 4,5 24 750 1500 14.2
2 57 27,5 37 1.2 4,8 32 650 1300 12.8
2.2 44 33,5 49 1.2 4,5 34 700 1540 15,6
2.2 57 29 40 1.2 4.2 32 600 1320 14,5
3 57 31 46,5 1.2 4 30 560 1680 17.2
3.3 57 33 48,5 1.2 3.2 29 500 1650 17,6
4 57 37 52,5 1.2 3 28 450 1800 18.2

 

Vôn Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
Điện dung (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25°C @100KHz (A)
0,068 32 9 17 0,8 25 23 1500 102 6,9
0,1 32 11,5 19,5 1 18 22 1500 150 8.2
0,1 37 10,5 18,5 1 18 26 1450 145 8
0,22 32 17,5 25,5 1.2 15 21 1400 308 9.1
0,22 37 16 24 1.2 15 25 1300 286 9
0,33 37 20 28 1.2 12 24 1250 412,5 9,5
0,33 44 18 26 1.2 12 30 1200 396 10.2
0,47 44 19,5 32 1.2 10 29 1100 517 12,4
0,68 44 24 36,5 1.2 8 28 1000 680 14.2
0,68 57 18,5 31 1.2 8 27 900 612 14.2
1 57 23,5 36 1.2 6 31 950 950 14,5
1,5 57 29,5 42 1.2 5 31 850 1275 14,5
2 57 33 48,5 1.2 4.2 31 750 1500 16,5
2.2 57 35 50,5 1.2 4 30 700 1540 17,8

 

Vôn Un 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
Điện dung (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (mm) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25°C @100KHz (A)
0,047 44 13,5 21,5 1 22 20 2000 94 8,5
0,068 44 17 25 1 20 20 1800 122,4 10,5
0,1 44 20,5 28,5 1.2 18 20 1500 150 12,4
0,15 44 26 34 1.2 16 22 1350 202,5 13,8
0,22 44 29 41,5 1.2 14,5 22 1200 264 14,5
Hình ảnh chi tiết sản phẩm:

Thiết kế tái tạo cho tụ điện Pcb - Tụ điện snubber hướng trục GTO – Hình ảnh chi tiết CRE

Thiết kế tái tạo cho tụ điện Pcb - Tụ điện snubber hướng trục GTO – Hình ảnh chi tiết CRE

Thiết kế tái tạo cho tụ điện Pcb - Tụ điện snubber hướng trục GTO – Hình ảnh chi tiết CRE

Hướng dẫn sản phẩm liên quan:
Kinh nghiệm quản lý dự án rất phong phú và mô hình dịch vụ 1-1 khiến cho việc giao tiếp trong kinh doanh trở nên quan trọng và chúng tôi dễ dàng hiểu được mong đợi của bạn đối với Thiết kế tái tạo cho tụ điện Pcb - Tụ điện snubber hướng trục GTO – CRE, Sản phẩm sẽ cung cấp cho khắp nơi trên thế giới, chẳng hạn như: Albania, Armenia, Cape Town, Các giải pháp của chúng tôi được người dùng công nhận và tin cậy rộng rãi, đồng thời có thể đáp ứng nhu cầu kinh tế và xã hội không ngừng thay đổi.Chúng tôi chào đón khách hàng mới và cũ từ mọi tầng lớp xã hội liên hệ với chúng tôi để có mối quan hệ kinh doanh trong tương lai và cùng thành công!
    • Giá cả hợp lý, thái độ tư vấn tốt, cuối cùng chúng ta đạt được đôi bên cùng có lợi, hợp tác vui vẻ! 5 sao Bởi Heather đến từ Oman - 2017.08.18 18:38
    Người quản lý tài khoản đã giới thiệu chi tiết về sản phẩm để chúng tôi hiểu biết toàn diện về sản phẩm và cuối cùng chúng tôi quyết định hợp tác. 5 sao Bởi Polly đến từ Algeria - 2017.12.09 14:01

    Gửi tin nhắn của bạn cho chúng tôi:

    Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi

    Danh mục sản phẩm

    Gửi tin nhắn của bạn cho chúng tôi: