Nhà máy sản xuất Tụ điện Snubber cho Igbt - Chất điện môi màng polypropylene Tổn thất thấp Tụ điện Snubber cho ứng dụng IGBT – CRE

Nhà máy sản xuất tụ điện Snubber cho Igbt - Chất điện môi tổn thất thấp màng polypropylene Tụ điện Snubber cho ứng dụng IGBT – CRE Ảnh nổi bật

Mô tả ngắn:

Gửi email cho chúng tôi Tải xuống dưới dạng PDF

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Video liên quan

Phản hồi (2)

Sản phẩm chạy tốt, nhóm thu nhập lành nghề, sản phẩm và dịch vụ hậu mãi tốt hơn;Chúng ta cũng đã là một đại gia đình đoàn kết, tất cả mọi người đều gắn bó với phương châm kinh doanh “đoàn kết, cống hiến, bao dung” vìTụ điện Dc cho hệ thống sạc pin , Tụ điện vỏ nhựa hình trụ , Tụ màng Pp kim loại hóa, Nhìn thấy tin tưởng!Chúng tôi chân thành chào đón các khách hàng mới ở nước ngoài để xây dựng các hiệp hội tổ chức và cũng hy vọng sẽ củng cố các hiệp hội đồng thời tận dụng các triển vọng đã có từ lâu.

Nhà máy sản xuất Tụ điện Snubber cho Igbt - Chất điện môi tổn hao thấp màng polypropylene Tụ điện Snubber cho ứng dụng IGBT – CRE Chi tiết:

Dòng SMJ-P

Dải điện áp định mức: 1000 VDC đến 2000 VDC
Phạm vi điện dung: 0,1 uf đến 3,0 uf
Khoảng cách lắp đặt: 22,5 mm đến 48 mm
Kết cấu: Kết nối nối tiếp bên trong chất điện môi Polypropylene kim loại hóa
Ứng dụng: Bảo vệ IGBT, Mạch bể cộng hưởng

Các phần tử tụ điện snubber, loại khô, tự phục hồi được sản xuất bằng cách sử dụng màng PP kim loại cắt sóng được định hình đặc biệt, đảm bảo độ tự cảm thấp, khả năng chống đứt cao và độ tin cậy cao.Việc ngắt kết nối quá áp suất được coi là không cần thiết.Đầu tụ điện được bịt kín bằng nhựa epoxy thân thiện với môi trường tự dập lửa.Thiết kế đặc biệt đảm bảo độ tự cảm rất thấp.

IMG_0397.HEIC

Bảng thông số kỹ thuật

Vôn	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Kích thước(mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40°C @100KHz (A)
0,47	42,5	24,5	27,5	12	25	500	235	8
0,68	42,5	24,5	27,5	10	25	480	326,4	10
1	42,5	24,5	27,5	8	24	450	450	12
1,5	42,5	33,5	35,5	7	25	430	645	5
2	42,5	33	35,5	6	24	420	840	15
2,5	42,5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42,5	33	45	5,5	22	380	1140	20
3	57,5	30	45	5	26	350	1050	22
3,5	42,5	33	45	5	23	350	1225	25
3,5	57,5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57,5	35	50	5	28	280	1316	25
5,6	57,5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57,5	38	54	3,5	33	230	1380	28
6,8	57,5	42,5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57,5	42,5	56	2,8	30	200	1600	33

Vôn	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Kích thước(mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	25	1000	470	10
0,68	42,5	24,5	27,5	8	25	800	544	12
1	42,5	33,5	35,5	6	24	800	800	15
1,5	42,5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42,5	33	45	5	22	700	1400	20
2,5	57,5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57,5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57,5	35	50	3,5	28	550	1815	25
3,5	57,5	38	54	3,5	28	500	1750	25
4	57,5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57,5	42,5	56	3	25	420	1974	30
5,6	57,5	42,5	56	2,8	24	400	2240	32

Vôn	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,47	42,5	24,5	27,5	11	24	1200	564	10
0,68	42,5	33,5	35,5	7	23	1100	748	12
1	42,5	33,5	35,5	6	22	800	800	14
1,5	42,5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57,5	30	45	4	30	750	1500	20
2,5	57,5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57,5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57,5	38	54	4	27	550	1815	28
3,5	57,5	38	54	3,5	25	500	1750	28
4	57,5	42,5	56	3,5	25	450	1800	30
4.7	57,5	42,5	56	3.2	23	420	1974	32

Vôn	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,33	42,5	24,5	27,5	12	25	1300	429	9
0,47	42,5	24,5	27,5	10	24	1300	611	10
0,68	42,5	33,5	35,5	8	23	1300	884	12
1	42,5	33	45	7	22	1200	1200	15
1,5	42,5	33	45	6	22	1200	1800	18
1,5	57,5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57,5	30	45	5	30	1100	2200	22
2,5	57,5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57,5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57,5	38	54	3,8	26	600	1980	28
3,5	57,5	42,5	56	3,5	25	500	1750	30
4	57,5	42,5	56	3.2	25	450	1800	32

Vôn	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,22	42,5	24,5	27,5	15	25	1500	330	10
0,33	42,5	33,5	35,5	12	24	1500	495	12
0,47	42,5	33,5	35,5	11	23	1400	658	15
0,68	42,5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57,5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42,5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57,5	30	45	6	28	1100	1100	25
1,5	57,5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57,5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57,5	42,5	56	4	23	700	1540	32

Vôn	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0,15	42,5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42,5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57,5	35	50	15	25	2000	330	20
0,33	57,5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57,5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57,5	42,5	56	8	22	1500	1020	28

Hình ảnh chi tiết sản phẩm:

Hướng dẫn sản phẩm liên quan:

tuân thủ hợp đồng", phù hợp với yêu cầu của thị trường, tham gia cạnh tranh trên thị trường bằng chất lượng vượt trội cũng như cung cấp dịch vụ toàn diện và tuyệt vời hơn cho người mua hàng để giúp họ trở thành người chiến thắng lớn. Mục tiêu theo đuổi của công ty, chắc chắn là khách hàng ' sự hài lòng dành cho Nhà máy sản xuất Tụ điện Snubber cho Igbt - Chất điện môi có tổn hao thấp của màng polypropylen Tụ điện Snubber cho ứng dụng IGBT – CRE, Sản phẩm sẽ cung cấp cho khắp nơi trên thế giới, chẳng hạn như: Provence, Oslo, Ecuador, Cho dù chọn sản phẩm hiện tại từ chúng tôi danh mục hoặc tìm kiếm hỗ trợ kỹ thuật cho ứng dụng của bạn, bạn có thể nói chuyện với trung tâm dịch vụ khách hàng của chúng tôi về các yêu cầu tìm nguồn cung ứng của bạn. Chúng tôi có thể cung cấp chất lượng tốt với giá cả cạnh tranh cho cá nhân bạn.

Ngân hàng tụ điện phim Ac

Tụ điện cung cấp điện Ac

Tụ phim thiết kế nhỏ gọn

Tụ phim tùy chỉnh

Tụ điện Dc-Link cho hệ thống năng lượng tái tạo

Tụ điện tử

Tụ phim được thiết kế cho biến tần Pv

Tụ phim hiệu suất cao

Tụ điện liên kết biến tần Dc

Tụ phim được phê duyệt Ul

Thiết bị của nhà máy là tiên tiến trong ngành và sản phẩm có tay nghề tốt, hơn nữa giá cả rất rẻ, đáng đồng tiền bát gạo!

Bởi Sabrina đến từ Slovakia - 2017.08.28 16:02

Giám đốc bán hàng có trình độ tiếng Anh tốt và kiến thức chuyên môn lành nghề, chúng tôi có khả năng giao tiếp tốt.Anh ấy là một người đàn ông ấm áp và vui vẻ, chúng tôi có sự hợp tác vui vẻ và chúng tôi đã trở thành những người bạn rất tốt trong chuyện riêng tư.

Bởi Mike đến từ Anguilla - 2018.09.08 17:09