E-mail: info@cre-elec.com
English
  • bbb

Nhà máy sản xuất tụ điện giảm xung cho IGBT - Chất điện môi tổn hao thấp dạng màng polypropylene. Tụ điện giảm xung cho ứng dụng IGBT – CRE

Nhà máy sản xuất tụ điện giảm xung cho IGBT - Tụ điện giảm xung màng polypropylene tổn hao thấp dùng cho ứng dụng IGBT – Hình ảnh nổi bật của CRE
  • Nhà máy sản xuất tụ điện giảm xung cho IGBT - Chất điện môi tổn hao thấp dạng màng polypropylene. Tụ điện giảm xung cho ứng dụng IGBT – CRE
  • Nhà máy sản xuất tụ điện giảm xung cho IGBT - Chất điện môi tổn hao thấp dạng màng polypropylene. Tụ điện giảm xung cho ứng dụng IGBT – CRE
  • Nhà máy sản xuất tụ điện giảm xung cho IGBT - Chất điện môi tổn hao thấp dạng màng polypropylene. Tụ điện giảm xung cho ứng dụng IGBT – CRE
  • Nhà máy sản xuất tụ điện giảm xung cho IGBT - Chất điện môi tổn hao thấp dạng màng polypropylene. Tụ điện giảm xung cho ứng dụng IGBT – CRE

Mô tả ngắn gọn:


Tải xuống dưới dạng PDF

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Video liên quan

Phản hồi (2)

Chúng tôi hướng đến việc phát hiện những sai sót về chất lượng trong quá trình sản xuất và tận tâm cung cấp dịch vụ tốt nhất cho khách hàng trong và ngoài nước.Dung dịch tụ điện màng khô , Ngân hàng tụ điện màng AC , Tụ điện nguồn gia nhiệt cảm ứngChúng tôi chân thành chào đón tất cả quý khách hàng thiết lập quan hệ hợp tác kinh doanh nhỏ với chúng tôi trên cơ sở cùng có lợi. Vui lòng liên hệ với chúng tôi ngay. Bạn sẽ nhận được phản hồi chuyên nghiệp của chúng tôi trong vòng 8 giờ.
Nhà máy sản xuất tụ điện giảm xung cho IGBT - Tụ điện giảm xung màng polypropylene tổn hao thấp dùng cho ứng dụng IGBT – Chi tiết sản phẩm CRE:

Dòng SMJ-P

Dải điện áp định mức: 1000 VDC đến 2000 VDC
Dải điện dung: 0,1 µm đến 3,0 µm
Khoảng cách giữa các lỗ lắp đặt: 22,5 mm đến 48 mm
Cấu tạo: Polypropylene mạ kim loại, kết nối nối tiếp bên trong.
Ứng dụng: Bảo vệ IGBT, mạch cộng hưởng.

Các phần tử tụ điện tự phục hồi, loại khô, có chức năng giảm xung được sản xuất bằng màng PP mạ kim loại cắt sóng đặc biệt, đảm bảo độ tự cảm thấp, khả năng chống đứt cao và độ tin cậy cao. Việc ngắt kết nối do quá áp không được coi là cần thiết. Phần đỉnh của tụ điện được bịt kín bằng epoxy tự dập lửa thân thiện với môi trường. Thiết kế đặc biệt đảm bảo độ tự cảm rất thấp.

IMG_0397.HEIC

Bảng thông số kỹ thuật

Điện áp Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
Kích thước (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0,47 42,5 24,5 27,5 12 25 500 235 8
0,68 42,5 24,5 27,5 10 25 480 326,4 10
1 42,5 24,5 27,5 8 24 450 450 12
1,5 42,5 33,5 35,5 7 25 430 645 5
2 42,5 33 35,5 6 24 420 840 15
2,5 42,5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42,5 33 45 5.5 22 380 1140 20
3 57,5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42,5 33 45 5 23 350 1225 25
3.5 57,5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57,5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57,5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57,5 38 54 3.5 33 230 1380 28
6.8 57,5 42,5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57,5 42,5 56 2.8 30 200 1600 33
Điện áp Điện áp đầu vào: 1000V DC, điện áp đầu ra: Urms 500V AC; điện áp đầu ra: 1500V
Kích thước (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,47 42,5 24,5 27,5 11 25 1000 470 10
0,68 42,5 24,5 27,5 8 25 800 544 12
1 42,5 33,5 35,5 6 24 800 800 15
1,5 42,5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42,5 33 45 5 22 700 1400 20
2,5 57,5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57,5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57,5 35 50 3.5 28 550 1815 25
3.5 57,5 38 54 3.5 28 500 1750 25
4 57,5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4.7 57,5 42,5 56 3 25 420 1974 30
5.6 57,5 42,5 56 2.8 24 400 2240 32
Điện áp Điện áp đầu vào: 1200V DC, công suất hiệu dụng: 550V AC; điện áp đầu ra: 1800V.
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,47 42,5 24,5 27,5 11 24 1200 564 10
0,68 42,5 33,5 35,5 7 23 1100 748 12
1 42,5 33,5 35,5 6 22 800 800 14
1,5 42,5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57,5 30 45 4 30 750 1500 20
2,5 57,5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57,5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57,5 38 54 4 27 550 1815 28
3.5 57,5 38 54 3.5 25 500 1750 28
4 57,5 42,5 56 3.5 25 450 1800 30
4.7 57,5 42,5 56 3.2 23 420 1974 32
Điện áp Điện áp đầu vào: 1700V DC, công suất hiệu dụng: 575V AC; điện áp đầu ra: 2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0.33 42,5 24,5 27,5 12 25 1300 429 9
0,47 42,5 24,5 27,5 10 24 1300 611 10
0,68 42,5 33,5 35,5 8 23 1300 884 12
1 42,5 33 45 7 22 1200 1200 15
1,5 42,5 33 45 6 22 1200 1800 18
1,5 57,5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57,5 30 45 5 30 1100 2200 22
2,5 57,5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57,5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57,5 38 54 3.8 26 600 Năm 1980 28
3.5 57,5 42,5 56 3.5 25 500 1750 30
4 57,5 42,5 56 3.2 25 450 1800 32
Điện áp Điện áp đầu vào: 2000V DC, Urms 700V AC; Us 3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,22 42,5 24,5 27,5 15 25 1500 330 10
0.33 42,5 33,5 35,5 12 24 1500 495 12
0,47 42,5 33,5 35,5 11 23 1400 658 15
0,68 42,5 33 45 8 22 1200 816 18
0,68 57,5 30 45 7 30 1100 748 20
0,82 42,5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57,5 30 45 6 28 1100 1100 25
1,5 57,5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57,5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57,5 42,5 56 4 23 700 1540 32
Điện áp Điện áp đầu vào: 3000V DC, điện áp đầu ra: Urms 750V AC; điện áp đầu ra: 4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,15 42,5 33 45 18 28 2500 375 25
0,22 42,5 33 45 15 27 2200 484 28
0,22 57,5 35 50 15 25 2000 330 20
0.33 57,5 35 50 12 24 1800 495 20
0,47 57,5 38 54 11 23 1600 752 22
0,68 57,5 42,5 56 8 22 1500 1020 28
Hình ảnh chi tiết sản phẩm:

Nhà máy sản xuất tụ điện giảm xung cho IGBT - Chất điện môi tổn hao thấp dạng màng polypropylene. Tụ điện giảm xung cho ứng dụng IGBT – Hình ảnh chi tiết của CRE.

Nhà máy sản xuất tụ điện giảm xung cho IGBT - Chất điện môi tổn hao thấp dạng màng polypropylene. Tụ điện giảm xung cho ứng dụng IGBT – Hình ảnh chi tiết của CRE.

Nhà máy sản xuất tụ điện giảm xung cho IGBT - Chất điện môi tổn hao thấp dạng màng polypropylene. Tụ điện giảm xung cho ứng dụng IGBT – Hình ảnh chi tiết của CRE.

Nhà máy sản xuất tụ điện giảm xung cho IGBT - Chất điện môi tổn hao thấp dạng màng polypropylene. Tụ điện giảm xung cho ứng dụng IGBT – Hình ảnh chi tiết của CRE.

Hướng dẫn sản phẩm liên quan:
Kiên định với phương châm "Tạo ra những sản phẩm chất lượng hàng đầu và xây dựng mối quan hệ thân thiết với mọi người trên toàn thế giới", chúng tôi luôn đặt lợi ích của khách hàng lên hàng đầu khi sản xuất Tụ điện Snubber cho IGBT - Tụ điện Snubber màng polypropylene tổn hao thấp cho ứng dụng IGBT – CRE. Sản phẩm được cung cấp trên toàn thế giới, ví dụ như: Algeria, Anguilla, Thổ Nhĩ Kỳ. Trong 11 năm qua, chúng tôi đã tham gia hơn 20 triển lãm và nhận được sự đánh giá cao nhất từ ​​mọi khách hàng. Công ty chúng tôi luôn tâm niệm "khách hàng là trên hết" và cam kết giúp khách hàng mở rộng kinh doanh, để họ trở thành những người dẫn đầu thị trường!
    • Chúng tôi là bạn bè lâu năm, chất lượng sản phẩm của công ty luôn rất tốt và lần này giá cả cũng rất phải chăng. 5 sao Bài viết của Rita đến từ Tunisia - 21/09/2018, 11:44
    Đa dạng sản phẩm, chất lượng tốt, giá cả hợp lý và dịch vụ chu đáo, trang thiết bị hiện đại, đội ngũ nhân tài xuất sắc và lực lượng công nghệ không ngừng được tăng cường, một đối tác kinh doanh tuyệt vời. 5 sao Bởi Victor Yanushkevich đến từ Nhật Bản - 2017.12.19 11:10

    Hãy gửi tin nhắn của bạn cho chúng tôi:

    Hãy viết tin nhắn của bạn vào đây và gửi cho chúng tôi.

    Danh mục sản phẩm

    Hãy gửi tin nhắn của bạn cho chúng tôi: